Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V

Подробное описание

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

93 ₽

– +

Бонус: 1.86 !

Бонусная программа

Итого: 93 ₽

Купить

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	SC-75A-3
серия	SI1
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	175 mW
другие названия товара №	SI1013R-GE3
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	350 mA
qg - заряд затвора	1500 pC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.2 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	6 V, + 6 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	450 mV
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	P-Channel
rds on - drain-source resistance	1.2О© @ 350mA,4.5V
transistor polarity	P Channel
vds - drain-source breakdown voltage	20V
vgs - gate-source voltage	450mV @ 250uAпј€Minпј‰
continuous drain current (id) @ 25в°c	350mA
power dissipation-max (ta=25в°c)	150mW

Отзывов нет

Кнопки