SH8K51GZETB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 35V N-CHANNEL DUAL
Вес и габариты
другие названия товара №SH8K51
id - непрерывный ток утечки4 A
канальный режимEnhancement
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 35V N-CHANNEL DUAL
Вес и габариты
другие названия товара №SH8K51
id - непрерывный ток утечки4 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора4 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток58 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7 ns
типичное время задержки выключения23 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOP-8
vds - напряжение пробоя сток-исток35 V
вес, г4.885
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания6 ns
время спада5 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль