SH8K41GZETB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationDual
factory pack quantity2500
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationDual
factory pack quantity2500
fall time12 ns, 12 ns
forward transconductance - min3 S
id - continuous drain current3.4 A
manufacturerROHM Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels2 Channel
package / caseSOP-8
packagingCut Tape or Reel
part # aliasesSH8K41
pd - power dissipation2 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge6.6 nC, 6.6 nC
rds on - drain-source resistance90 mOhms, 90 mOhms
rise time15 ns, 15 ns
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type2 N-Channel
typical turn-off delay time40 ns, 40 ns
typical turn-on delay time12 ns, 12 ns
vds - drain-source breakdown voltage80 V
vgs - gate-source voltage20 V
vgs th - gate-source threshold voltage1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль