SCTW60N120G2, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 60 А, 1.2 кВ, 0.035 Ом, HiP247 (SCTW60N120G2) — купить | ООО «Телеметрия» 


SCTW60N120G2, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 60 А, 1.2 кВ, 0.035 Ом, HiP247

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SCTW60N120G2
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules
Основные
вес, г0.01
6 640
- +
Бонус: 132.8 !
Бонусная программа
Итого: 6 640
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules
Основные
вес, г0.01
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль