Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & ModulesМОП-транзистор 650V 7PIN SIC 21A

Подробное описание

2 360 ₽

– +

Бонус: 47.2 !

Бонусная программа

Итого: 2 360 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & ModulesМОП-транзистор 650V 7PIN SIC 21A

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	21 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	2.7 S
максимальная рабочая температура	+ 175 C
pd - рассеивание мощности	100 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	38 nC
размер фабричной упаковки	1000
rds вкл - сопротивление сток-исток	156 mOhms
технология	SiC
типичное время задержки при включении	6 ns
типичное время задержки выключения	19 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-263-7L
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
вес, г	22.68
vgs - напряжение затвор-исток	4 V, + 22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5.6 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	14 ns
время спада	11 ns

Отзывов нет

Кнопки

SCT3120AW7TL, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 21 А, 650 В, 0.12 Ом, TO-263 (D2PAK)