SCT30N120, N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V, 3-Pin HiP247 SCT30N120

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SCT30N120
MOSFETsThe SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications. • Very tight variation of on-resistance vs. temperature• Slight variation of switching losses vs. temperature• Very high operating temperature capability (200°C)• Very fast and robust intrinsic body diode• Low capacitance
Основные
вес, г3
максимальная рабочая температура200 C
количество выводов3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
5 530
+
Бонус: 110.6 !
Бонусная программа
Итого: 5 530
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
MOSFETsThe SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
• Very tight variation of on-resistance vs. temperature• Slight variation of switching losses vs. temperature• Very high operating temperature capability (200°C)• Very fast and robust intrinsic body diode• Low capacitance
Основные
вес, г3
максимальная рабочая температура200 C
количество выводов3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность270Вт
power dissipation270Вт
напряжение истока-стока vds1.2кВ
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораHiP247
непрерывный ток стока40А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.08Ом
напряжение измерения rds(on)20В
пороговое напряжение vgs2.6В
drain source on state resistance0.08Ом
конфигурация моп-транзистораSingle
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль