SCT3080KLGC11, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1200В, 31А, 165Вт, TO247-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SCT3080KLGC11
Решения для промышленных продуктов Решения для промышленных продуктов ROHM поставляют качественную линейку продуктов от пассивных устройств и дискретных устройств до микросхем и модулей, обеспечивая комплексные решения на системном уровне. Решения для промышленных продуктов достигли высокого качества, технологических возможностей и стабильных поставок продуктов (более 10 лет), создавая инновационные решения в высокоинтегрированной производственной системе. Эти продукты отвечают быстро развивающимся...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:450
2 260
+
Бонус: 45.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Решения для промышленных продуктов Решения для промышленных продуктов ROHM поставляют качественную линейку продуктов от пассивных устройств и дискретных устройств до микросхем и модулей, обеспечивая комплексные решения на системном уровне. Решения для промышленных продуктов достигли высокого качества, технологических возможностей и стабильных поставок продуктов (более 10 лет), создавая инновационные решения в высокоинтегрированной производственной системе. Эти продукты отвечают быстро развивающимся потребностям рынка промышленного оборудования. ROHM продолжает использовать свои сильные стороны, предлагая оптимизированные решения, адаптированные к потребностям клиентов.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:450
fall time:24 ns
forward transconductance - min:4.4 S
id - continuous drain current:31 A
manufacturer:ROHM Semiconductor
maximum operating temperature:+175 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
number of channels:1 Channel
package/case:TO-247-3
packaging:Tube
part # aliases:SCT3080KL
pd - power dissipation:165 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:60 nC
rds on - drain-source resistance:80 mOhms
rise time:22 ns
series:SCT3x
subcategory:MOSFETs
technology:SiC
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:29 ns
typical turn-on delay time:15 ns
vds - drain-source breakdown voltage:1.2 kV
вес, г5
vgs - gate-source voltage:-4 V, +22 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2.7 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль