SCT3030KLHRC11, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 72 А, 1.2 кВ, 0.03 Ом, TO-247N
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SCT3030KLHRC11
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки
72 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
10.8 S
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 175 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
339 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
131 nC
размер фабричной упаковки
30
rds вкл - сопротивление сток-исток
30 mOhms
серия
SCT3x
технология
SiC
типичное время задержки при включении
24 ns
типичное время задержки выключения
61 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ROHM Semiconductor
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
1.2 kV
вес, г
5
vgs - напряжение затвор-исток
4 V, + 22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.7 V
вид монтажа
Through Hole
время нарастания
42 ns
время спада
29 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26