SCT2750NYTB, Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 6А, 1.7кВ, 0.75Ом, 18В, 2.8В

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SCT2750NYTB
МОП-транзистор N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c5.9A(Tc)
другие названия товара №SCT2750NY
id - непрерывный ток утечки6 A
1 500
+
Бонус: 30 !
Бонусная программа
Итого: 1 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c5.9A(Tc)
другие названия товара №SCT2750NY
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.600 mS
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности57 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)57W(Tc)
qg - заряд затвора17 nC
размер фабричной упаковки800
rds on - drain-source resistance975mО© @ 1.7A,18V
rds вкл - сопротивление сток-исток750 mOhms
серияSCT2x
технологияSiC
типичное время задержки при включении19 ns
типичное время задержки выключения41 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor polarityN Channel
упаковка / блокTO-268-3
vds - drain-source breakdown voltage1700V
vds - напряжение пробоя сток-исток1.7 kV
вес, г4.695
vgs - gate-source voltage4V @ 630uA
vgs - напряжение затвор-исток6 V, + 22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.6 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания24 ns
время спада63 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль