RZR025P01TL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор Med Pwr, Sw МОП-транзистор P Chan, -12V, -2.5A
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c2.5A
длина2.9 mm
другие названия товара №RZR025P01
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор Med Pwr, Sw МОП-транзистор P Chan, -12V, -2.5A
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c2.5A
длина2.9 mm
другие названия товара №RZR025P01
Высота 0.85 мм
id - непрерывный ток утечки2.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)1W
qg - заряд затвора13 nC
размер фабричной упаковки3000
rds on - drain-source resistance61mО© @ 2.5A,4.5V
rds вкл - сопротивление сток-исток44 mOhms
серияRZR025P01
технологияSi
типичное время задержки при включении9 ns
типичное время задержки выключения130 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor polarityP Channel
упаковка / блокSOT-346T-3
vds - drain-source breakdown voltage12V
vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
vgs - gate-source voltage1V @ 1mA
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания35 ns
время спада85 ns
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль