RZF030P01TL
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор Med Pwr, Sw МОП-транзистор P Chan, -12V, 1.5A
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| длина | 2 mm |
| другие названия товара № | RZF030P01 |
| factory pack quantity | 3000 |
| fall time | 120 ns |
| forward transconductance - min | 5 S |
| Высота | 0.77 мм |
| id - continuous drain current | 3 A |
| id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 5 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | ROHM Semiconductor |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of channels | 1 Channel |
| package / case | SOT-323T-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | RZF030P01 |
| pd - power dissipation | 800 mW |
| pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| product | MOSFET Small Signal |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| qg - gate charge | 18 nC |
| qg - заряд затвора | 18 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 28 mOhms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
| rise time | 40 ns |
| series | RZF030P01 |
| серия | RZF030P01 |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 9 ns |
| типичное время задержки выключения | 210 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | P-Channel |
| transistor type | 1 P-Channel |
| typical turn-off delay time | 210 ns |
| typical turn-on delay time | 9 ns |
| упаковка / блок | SOT-323T-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 12 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| vgs - gate-source voltage | 10 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 40 ns |
| время спада | 120 ns |
| Ширина | 1.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26