RZF013P01TL
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 12 В, 1,3 A (Ta) 800 мВт (Ta), поверхностный монтаж TUMT3
| Вес и габариты | |
| base product number | RZF013 -> |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1.3A (Ta) |
| длина | 2 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 12V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 1.5V, 4.5V |
| другие названия товара № | RZF013P01 |
| eccn | EAR99 |
| factory pack quantity | 3000 |
| fall time | 9 ns |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Высота | 0.85 мм |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - continuous drain current | 1.3 A |
| id - непрерывный ток утечки | 1.3 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 290pF @ 6V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | ROHM Semiconductor |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of channels | 1 Channel |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| other related documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 3-SMD, Flat Lead |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | RZF013P01 |
| pd - power dissipation | 0.8 W |
| pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 800mW (Ta) |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| qg - gate charge | 2.4 nC |
| qg - заряд затвора | 2.4 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 260 mOhms |
| rds on (max) @ id, vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rise time | 10 ns |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | RZF013P01 |
| серия | RZF013P01 |
| simulation models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| subcategory | MOSFETs |
| supplier device package | TUMT3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 8 ns |
| типичное время задержки выключения | 30 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel MOSFET |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | P-Channel |
| transistor type | 1 P-Channel MOSFET |
| typical turn-off delay time | 30 ns |
| typical turn-on delay time | 8 ns |
| упаковка | Reel, Cut Tape |
| упаковка / блок | SOT-323-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 12 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| vgs - gate-source voltage | 4.5 V |
| vgs (max) | В±10V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 300 mV |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 10 ns |
| время спада | 9 ns |
| Ширина | 1.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26