RZE002P02TL
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 1.2V DRVE PCH МОП-транзистор
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| другие названия товара №: | RZE002P02 |
| factory pack quantity | 3000 |
| fall time | 17 ns |
| forward transconductance - min | 0.2 S |
| id - continuous drain current | 200 mA |
| id - непрерывный ток утечки: | 200 ma |
| канальный режим: | Enhancement |
| категория продукта: | МОП-транзистор |
| количество каналов: | 1 Channel |
| конфигурация: | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин.: | 0.2 S |
| максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| manufacturer | ROHM Semiconductor |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of channels | 1 Channel |
| package / case | SOT-416-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | RZE002P02 |
| pd - power dissipation | 150 mW |
| pd - рассеивание мощности: | 150 mW |
| подкатегория: | MOSFETs |
| полярность транзистора: | P-Channel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| производитель: | ROHM Semiconductor |
| qg - gate charge | 1.4 nC |
| qg - заряд затвора: | 1.4 nC |
| размер фабричной упаковки: | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 1.2 Ohms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток: | 1.2 Ohms |
| rise time | 4 ns |
| series | RZE002P02 |
| серия: | RZE002P02 |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| технология: | Si |
| типичное время задержки при включении: | 6 ns |
| типичное время задержки выключения: | 17 ns |
| тип продукта: | MOSFET |
| тип транзистора: | 1 P-Channel |
| торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | P-Channel |
| transistor type | 1 P-Channel |
| typical turn-off delay time | 17 ns |
| typical turn-on delay time | 6 ns |
| упаковка / блок: | SOT-416-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
| вес, г | 0.0024 |
| vgs - gate-source voltage | 10 V |
| vgs - напряжение затвор-исток: | - 10 V, + 10 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 1 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1 V |
| вид монтажа: | SMD/SMT |
| время нарастания: | 4 ns |
| время спада: | 17 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26