RW1E015RPT2R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V Drive Pch МОП-транзистор Drive Pch
Вес и габариты
длина1.7 mm
другие названия товара №RW1E015RP
Высота 0.65 мм
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V Drive Pch МОП-транзистор Drive Pch
Вес и габариты
длина1.7 mm
другие названия товара №RW1E015RP
Высота 0.65 мм
id - непрерывный ток утечки1.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle with ESD Protection Diode
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.2 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности700 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
продуктMOSFET
qg - заряд затвора6.5 nC
размер фабричной упаковки8000
rds вкл - сопротивление сток-исток270 mOhms
серияRW1E015RP
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения40 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
ТипPower MOSFET
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOT-563-6
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.003
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8 ns
время спада13 ns
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль