RW1E014SNT2R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V Drive Nch МОП-транзистор Drive Nch
Вес и габариты
другие названия товара №RW1E014SN
id - непрерывный ток утечки1.4 A
канальный режимEnhancement
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V Drive Nch МОП-транзистор Drive Nch
Вес и габариты
другие названия товара №RW1E014SN
id - непрерывный ток утечки1.4 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности700 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора1.4 nC
размер фабричной упаковки8000
rds вкл - сопротивление сток-исток170 mOhms
серияRW1E014SN
технологияSi
типичное время задержки при включении6 ns
типичное время задержки выключения13 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSOT-563T-6
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.003
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания6 ns
время спада8 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль