RUM002N05T2L

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity8000
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity8000
fall time55 ns
forward transconductance - min400 mS
id - continuous drain current200 mA
manufacturerROHM Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseSOT-723-3
packagingCut Tape or Reel
part # aliasesRUM002N05
pd - power dissipation150 mW
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance2.2 Ohms
rise time6 ns
seriesRUM002N05
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time15 ns
typical turn-on delay time4 ns
vds - drain-source breakdown voltage50 V
vgs - gate-source voltage4.5 V
vgs th - gate-source threshold voltage300 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль