RUM002N02T2L
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор SW МОП-транзистор SMLL SIG N-CH 20V .2A
| Вес и габариты | |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 200mA |
| другие названия товара № | RUM002N02 |
| id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 200 ms |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 150mW |
| размер фабричной упаковки | 8000 |
| rds on - drain-source resistance | 1.2О© @ 200mA,2.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| серия | RUM002N02 |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 5 ns |
| типичное время задержки выключения | 15 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | N Channel |
| упаковка / блок | SOT-723-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - gate-source voltage | 1V @ 1mA |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 10 ns |
| время спада | 10 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26