RUF020N02TL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 20V 2A (Ta) 320 мВт (Ta) поверхностный монтаж TUMT3
Вес и габариты
base product numberRUF020 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c2A (Ta)
drain to source voltage (vdss)20V
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 20V 2A (Ta) 320 мВт (Ta) поверхностный монтаж TUMT3
Вес и габариты
base product numberRUF020 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c2A (Ta)
drain to source voltage (vdss)20V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.5V, 4.5V
другие названия товара №RUF020N02
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs2nC @ 4.5V
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки2 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds180pF @ 10V
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case3-SMD, Flat Lead
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)320mW (Ta)
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs105mOhm @ 2A, 4.5V
rds вкл - сопротивление сток-исток105 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияRUF020N02
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageTUMT3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSOT-323T-3
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs (max)В±10V
vgs(th) (max) @ id1V @ 1mA
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль