RUF015N02TL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 1.5 А, 0.13 Ом, TUMT, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RUF015N02TL
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор Med Pwr, Sw МОП-транзистор P Chan, 20V, 1.5A
| Вес и габариты | |
| base product number | RUF015 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1.5A (Ta) |
| длина | 2 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 1.8V, 4.5V |
| другие названия товара № | RUF015N02 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Высота | 0.77 мм |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 110pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| other related documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 3-SMD, Flat Lead |
| pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 800mW (Ta) |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| qg - заряд затвора | 1.8 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | RUF015N02 |
| simulation models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| supplier device package | TUMT3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 5 ns |
| типичное время задержки выключения | 20 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| упаковка / блок | SOT-323-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| вес, г | 0.01 |
| vgs (max) | В±10V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 5 ns |
| время спада | 3 ns |
| Ширина | 1.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26