RU1C001ZPTL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 1.2V Drive Pch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RU1C001ZP
id - непрерывный ток утечки100 mA
канальный режимEnhancement
89
+
Бонус: 1.78 !
Бонусная программа
Итого: 89
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 1.2V Drive Pch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RU1C001ZP
id - непрерывный ток утечки100 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.120 mS
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности150 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток2.5 Ohms
серияRU1C001ZP
технологияSi
типичное время задержки при включении46 ns
типичное время задержки выключения325 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSOT-323FL-3
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания62 ns
время спада137 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль