RU1C001UNTCL
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CHANNEL
| Вес и габариты | |
| base product number | RU1C001 -> |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 100mA |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 100mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 1.2V, 4.5V |
| другие названия товара № | RU1C001UN |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 7.1pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 180 ms |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| other related documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SC-85 |
| pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 150mW (Ta) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 150mW |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 3.5О© @ 100mA,4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs | 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | RU1C001UN |
| simulation models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| supplier device package | UMT3F |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 5 ns |
| типичное время задержки выключения | 20 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | N Channel |
| упаковка / блок | SOT-323FL-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - gate-source voltage | 1V @ 100uA |
| vgs (max) | В±12V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 100ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 4 ns |
| время спада | 38 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26