Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор

Подробное описание

260 ₽

– +

Бонус: 5.2 !

Бонусная программа

Итого: 260 ₽

Купить

Вес и габариты
другие названия товара №	RS1E200BN
id - непрерывный ток утечки	20 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	25 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	59 nC
размер фабричной упаковки	2500
rds вкл - сопротивление сток-исток	2.8 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	20 ns
типичное время задержки выключения	105 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка / блок	HSOP-8
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
вес, г	5.577
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	65 ns
время спада	25 ns

Отзывов нет

Кнопки

RS1E200BNTB