RS1E130GNTB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RS1E130GN
id - непрерывный ток утечки13 A
канальный режимEnhancement
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RS1E130GN
id - непрерывный ток утечки13 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.8 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности3 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора7.9 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток11.7 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении8.4 ns
типичное время задержки выключения22.4 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокHSOP-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.0706
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания4.3 ns
время спада3.1 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль