Name: RRR040P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT346
SKU: RRR040P03FRATL

Этот продукт доступен для процессов оценки и разработки. При желании одобрения этого устройства, пожалуйста, свяжитесь с местным представительством ROHM.

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	P Channel
continuous drain current (id) @ 25в°c	4A
drain source on state resistance	0.032Ом

Все характеристики

51 ₽

– +

Бонус: 1.02 !

Бонусная программа

Итого: 51 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
channel type	P Channel
continuous drain current (id) @ 25в°c	4A
drain source on state resistance	0.032Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	30В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	4А
полярность транзистора	P Канал
пороговое напряжение vgs	2.5В
power dissipation	1Вт
power dissipation-max (ta=25в°c)	1W
рассеиваемая мощность	1Вт
rds on - drain-source resistance	45mО© @ 4A,10V
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.032Ом
стиль корпуса транзистора	TSMT
transistor polarity	P Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30V
вес, г	1
vgs - gate-source voltage	2.5V @ 1mA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки