Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 30V 8.5A Si МОП-транзистор

Подробное описание

290 ₽

– +

Бонус: 5.8 !

Бонусная программа

Итого: 290 ₽

Купить

Вес и габариты
другие названия товара №	RQ6E085BN
id - непрерывный ток утечки	8.5 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	8 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	1.25 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	32.7 nC
размер фабричной упаковки	3000
rds вкл - сопротивление сток-исток	11.1 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	11 ns
типичное время задержки выключения	70 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка / блок	SOT-457-6
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	16 ns
время спада	31 ns

Отзывов нет

Кнопки

RQ6E085BNTCR