RQ6E050AJTCR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V N-CHANNEL 5A
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.026Ом
другие названия товара №RQ6E050AJ
66
+
Бонус: 1.32 !
Бонусная программа
Итого: 66
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V N-CHANNEL 5A
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.026Ом
другие названия товара №RQ6E050AJ
id - непрерывный ток утечки5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов6вывод(-ов)
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)4.5В
непрерывный ток стока
pd - рассеивание мощности1.25 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs1.5В
power dissipation1.25Вт
qg - заряд затвора4.7 nC
рассеиваемая мощность1.25Вт
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток35 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.026Ом
стиль корпуса транзистораTSMT
технологияSi
типичное время задержки при включении8.8 ns
типичное время задержки выключения26 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOT-457-6
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5.9 ns
время спада5.7 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль