RQ6E030ATTCR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Pch -30V -3A Middle Power МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeP Channel
drain source on state resistance0.07Ом
другие названия товара №RQ6E030AT
21
+
Бонус: 0.42 !
Бонусная программа
Итого: 21
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Pch -30V -3A Middle Power МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeP Channel
drain source on state resistance0.07Ом
другие названия товара №RQ6E030AT
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов6вывод(-ов)
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока
pd - рассеивание мощности1.25 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
пороговое напряжение vgs2.5В
power dissipation1.25Вт
qg - заряд затвора5.4 nC
рассеиваемая мощность1.25Вт
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток70 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.07Ом
стиль корпуса транзистораTSMT
технологияSi
типичное время задержки при включении6.5 ns
типичное время задержки выключения22 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSOT-457-6
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8.5 ns
время спада5.5 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль