Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Pch -30V -3A Middle Power МОП-транзистор
Вес и габариты
channel type
P Channel
drain source on state resistance
0.07Ом
другие названия товара №
RQ6E030AT
id - непрерывный ток утечки
3 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
количество выводов
6вывод(-ов)
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
монтаж транзистора
Surface Mount
напряжение истока-стока vds
30В
напряжение измерения rds(on)
10В
непрерывный ток стока
3А
pd - рассеивание мощности
1.25 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
P-Channel
пороговое напряжение vgs
2.5В
power dissipation
1.25Вт
qg - заряд затвора
5.4 nC
рассеиваемая мощность
1.25Вт
размер фабричной упаковки
3000
rds вкл - сопротивление сток-исток
70 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)
0.07Ом
стиль корпуса транзистора
TSMT
технология
Si
типичное время задержки при включении
6.5 ns
типичное время задержки выключения
22 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 P-Channel
торговая марка
ROHM Semiconductor
упаковка / блок
SOT-457-6
уровень чувствительности к влажности (msl)
MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
8.5 ns
время спада
5.5 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26