RQ6E030ATTCR, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 3 А, 0.07 Ом, TSMT, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RQ6E030ATTCR
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор Pch -30V -3A Middle Power МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeP Channel
drain source on state resistance0.07Ом
другие названия товара №RQ6E030AT
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор Pch -30V -3A Middle Power МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeP Channel
drain source on state resistance0.07Ом
другие названия товара №RQ6E030AT
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов6вывод(-ов)
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока
pd - рассеивание мощности1.25 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP Канал
пороговое напряжение vgs2.5В
power dissipation1.25Вт
qg - заряд затвора5.4 nC
рассеиваемая мощность1.25Вт
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток70 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.07Ом
стиль корпуса транзистораTSMT
технологияSi
типичное время задержки при включении6.5 ns
типичное время задержки выключения22 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSOT-457-6
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г5.58
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8.5 ns
время спада5.5 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль