RQ5E070BNTCL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 30V 7Ad Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RQ5E070BN
id - непрерывный ток утечки7 A
канальный режимEnhancement
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 30V 7Ad Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RQ5E070BN
id - непрерывный ток утечки7 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.5 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора23 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток12.4 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении9.5 ns
типичное время задержки выключения28 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSOT-346-3
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания15 ns
время спада23 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль