RQ5E030AJTCL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 30V 3Ad Si МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.057Ом
другие названия товара №RQ5E030AJ
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch 30V 3Ad Si МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.057Ом
другие названия товара №RQ5E030AJ
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.2.7 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)4.5В
непрерывный ток стока
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs1.5В
power dissipation1Вт
qg - заряд затвора2.1 nC
рассеиваемая мощность1Вт
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток57 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.057Ом
стиль корпуса транзистораSOT-346T
технологияSi
типичное время задержки при включении5 ns
типичное время задержки выключения12 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSOT-346-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5 ns
время спада3.5 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль