RQ5A030APTL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор Pch -12V -3A Middle Power МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeP Channel
длина3 mm
drain source on state resistance0.044Ом
51
+
Бонус: 1.02 !
Бонусная программа
Итого: 51
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор Pch -12V -3A Middle Power МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeP Channel
длина3 mm
drain source on state resistance0.044Ом
другие названия товара №RQ5A030AP
Высота 0.95 мм
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3.5 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds12В
напряжение измерения rds(on)4.5В
непрерывный ток стока
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
пороговое напряжение vgs
power dissipation1Вт
продуктMOSFET
qg - заряд затвора16 nC
рассеиваемая мощность1Вт
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток180 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.044Ом
стиль корпуса транзистораSOT-346T
технологияSi
типичное время задержки при включении11 ns
типичное время задержки выключения160 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
ТипPower MOSFET
упаковка / блокSOT-346-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток300 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания40 ns
время спада60 ns
Ширина1.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль