RQ3G100GNTB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
78
+
Бонус: 1.56 !
Бонусная программа
Итого: 78
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
fall time3.2 ns
id - continuous drain current10 A
manufacturerROHM Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseHSMT-8
packagingCut Tape or Reel
part # aliasesRQ3G100GN
pd - power dissipation2 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge8.4 nC
rds on - drain-source resistance11 mOhms
rise time4.2 ns
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time23.1 ns
typical turn-on delay time8 ns
vds - drain-source breakdown voltage40 V
vgs - gate-source voltage20 V
vgs th - gate-source threshold voltage1.2 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль