RQ3G100GNTB — купить | ООО «Телеметрия»

78 ₽

- +

Бонус: 1.56 !

Бонусная программа

Итого: 78 ₽

Купить

► Купить RQ3G100GNTB в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

★ Цена: 78 руб.

Почему выбирают нас:

☎ Заказать: +7 (929) 433-44-45

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
configuration	Single
factory pack quantity	3000
fall time	3.2 ns
id - continuous drain current	10 A
manufacturer	ROHM Semiconductor
maximum operating temperature	+150 C
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	SMD/SMT
number of channels	1 Channel
package / case	HSMT-8
packaging	Cut Tape or Reel
part # aliases	RQ3G100GN
pd - power dissipation	2 W
product category	MOSFET
product type	MOSFET
qg - gate charge	8.4 nC
rds on - drain-source resistance	11 mOhms
rise time	4.2 ns
subcategory	MOSFETs
technology	Si
transistor polarity	N-Channel
transistor type	1 N-Channel
typical turn-off delay time	23.1 ns
typical turn-on delay time	8 ns
vds - drain-source breakdown voltage	40 V
vgs - gate-source voltage	20 V
vgs th - gate-source threshold voltage	1.2 V

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки