Name: RQ3E130BNTB, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 39 А, 0.0044 Ом, HSMT, Surface Mount
SKU: RQ3E130BNTB

МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор

Подробное описание

98 ₽

– +

Бонус: 1.96 !

Бонусная программа

Итого: 98 ₽

Купить

МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор

Вес и габариты
другие названия товара №	RQ3E130BN
id - непрерывный ток утечки	13 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	2 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	36 nC
размер фабричной упаковки	3000
rds вкл - сопротивление сток-исток	4.4 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	14 ns
типичное время задержки выключения	64 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка / блок	HSMT-8
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
вес, г	0.026
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	34 ns
время спада	20 ns

Отзывов нет

Кнопки