RQ3E130BNTB, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 39 А, 0.0044 Ом, HSMT, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:RQ3E130BNTB
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №
RQ3E130BN
id - непрерывный ток утечки
13 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
2 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
36 nC
размер фабричной упаковки
3000
rds вкл - сопротивление сток-исток
4.4 mOhms
технология
Si
типичное время задержки при включении
14 ns
типичное время задержки выключения
64 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ROHM Semiconductor
упаковка / блок
HSMT-8
vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
вес, г
0.026
vgs - напряжение затвор-исток
20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
34 ns
время спада
20 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26