Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор

Подробное описание

200 ₽

– +

Бонус: 4 !

Бонусная программа

Итого: 200 ₽

Купить

Вес и габариты
другие названия товара №	RQ3E120BN
id - непрерывный ток утечки	12 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	2 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	29 nC
размер фабричной упаковки	3000
rds вкл - сопротивление сток-исток	6.6 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	9 ns
типичное время задержки выключения	46 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	HSMT-8
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
вес, г	5.577
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	30 ns
время спада	12 ns

Отзывов нет

Кнопки

RQ3E120BNTB