RQ3E120BNTB
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Обзор
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Характеристики
| Вес и габариты | |
| другие названия товара № | RQ3E120BN |
| id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| pd - рассеивание мощности | 2 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| qg - заряд затвора | 29 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 6.6 mOhms |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 9 ns |
| типичное время задержки выключения | 46 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| упаковка | Reel, Cut Tape |
| упаковка / блок | HSMT-8 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| вес, г | 5.577 |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 30 ns |
| время спада | 12 ns |
Отзывов нет
Реквизиты
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
