RQ3E100GNTB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RQ3E100GN
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимEnhancement
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RQ3E100GN
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.8 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора7.9 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток11.7 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении8.4 ns
типичное время задержки выключения22.4 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокHSMT-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания4.3 ns
время спада3.1 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль