RQ3E075ATTB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Pch -30V -18A Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RQ3E075AT
id - непрерывный ток утечки18 A
канальный режимEnhancement
420
+
Бонус: 8.4 !
Бонусная программа
Итого: 420
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Pch -30V -18A Si МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RQ3E075AT
id - непрерывный ток утечки18 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.7 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности15 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора21 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток17.4 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении9.8 ns
типичное время задержки выключения58 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокHSMT-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания9.2 ns
время спада27 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль