RQ1E075XNTCR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V N-CHANNEL DRIVE
Вес и габариты
другие названия товара №RQ1E075XN
id - непрерывный ток утечки7.5 A
канальный режимEnhancement
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4V N-CHANNEL DRIVE
Вес и габариты
другие названия товара №RQ1E075XN
id - непрерывный ток утечки7.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора6.8 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток17 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7 ns
типичное время задержки выключения35 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTSMT-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания25 ns
время спада7 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль