RND030N20TL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10V Drive Nch Power МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RND030N20
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10V Drive Nch Power МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RND030N20
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.750 mS
максимальная рабочая температура+ 150 C
pd - рассеивание мощности20 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора6.7 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток620 mOhms
серияRND030N20
технологияSi
типичное время задержки при включении13 ns
типичное время задержки выключения18 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
вес, г0.34
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания13 ns
время спада17 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль