RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RK7002BMT116
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c250mA
power dissipation-max (ta=25в°c)200mW
rds on - drain-source resistance2.4О© @ 250mA,10V
5
+
Бонус: 0.1 !
Бонусная программа
Итого: 5
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c250mA
power dissipation-max (ta=25в°c)200mW
rds on - drain-source resistance2.4О© @ 250mA,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage60V
вес, г0.1
vgs - gate-source voltage2.3V @ 1mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль