RJU002N06T106
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В 200 мА (Ta) 200 мВт (Ta) Поверхностный монтаж UMT3
| Вес и габариты | |
| base product number | RJU002 -> |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 200mA (Ta) |
| длина | 2 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 60V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.5V, 4.5V |
| другие названия товара № | RJU002N06 |
| eccn | EAR99 |
| factory pack quantity | 3000 |
| fall time | 7 ns |
| fet type | N-Channel |
| Высота | 0.8 мм |
| height | 0.8 mm |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - continuous drain current | 200 mA |
| id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 18pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| length | 2 mm |
| manufacturer | ROHM Semiconductor |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of channels | 1 Channel |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SC-70, SOT-323 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | RJU002N06 |
| pd - power dissipation | 200 mW |
| pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 200mW (Ta) |
| product | MOSFET Small Signal |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 2.2 Ohms |
| rds on (max) @ id, vgs | 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rise time | 7 ns |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | RJU002N06 |
| серия | RJU002N06 |
| subcategory | MOSFETs |
| supplier device package | UMT3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 7 ns |
| типичное время задержки выключения | 12 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| Тип | MOSFET |
| type | MOSFET |
| typical turn-off delay time | 12 ns |
| typical turn-on delay time | 7 ns |
| unit weight | 0.000176 oz |
| упаковка / блок | SOT-323-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 60 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs - gate-source voltage | 12 V |
| vgs (max) | В±12V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.5V @ 1mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 7 ns |
| время спада | 7 ns |
| Ширина | 1.25 мм |
| width | 1.25 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26