RJP020N06T100, Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:RJP020N06T100
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор N-CH 60V 2.5A
Вес и габариты
длина
4.5 mm
другие названия товара №
RJP020N06
Высота
1.5 мм
id - непрерывный ток утечки
2 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
pd - рассеивание мощности
2 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
5 nC
размер фабричной упаковки
1000
rds вкл - сопротивление сток-исток
240 mOhms
серия
RJP020N06
технология
Si
типичное время задержки при включении
8 ns
типичное время задержки выключения
40 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel MOSFET
торговая марка
ROHM Semiconductor
Тип
MOSFET
упаковка / блок
SOT-89-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
vgs - напряжение затвор-исток
12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
800 mV
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
18 ns
время спада
20 ns
Ширина
2.5 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26