RJK005N03T146, N-Channel MOSFET, 500 mA, 30 V, 3-Pin SC-59 RJK005N03T146
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RJK005N03T146
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsМОП-транзистор N-CH 30V 500MA
| Вес и габариты | |
| base product number | RJK005 -> |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 500mA (Ta) |
| длина | 2.9 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 30V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.5V, 4.5V |
| другие названия товара № | RJK005N03 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 4nC @ 4V |
| Высота | 1.1 мм |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 60pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| maximum continuous drain current | 500 mA |
| maximum drain source resistance | 580 mΩ |
| maximum drain source voltage | 30 V |
| maximum gate source voltage | -12 V, +12 V |
| maximum gate threshold voltage | 1.5V |
| maximum power dissipation | 200 mW |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| package type | SC-59 |
| pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 200mW (Ta) |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 580mOhm @ 500mA, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | RJK005N03 |
| supplier device package | SMT3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 9 ns |
| типичное время задержки выключения | 16 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor material | Si |
| Тип | MOSFET |
| typical gate charge @ vgs | 2 nC 4 V |
| упаковка / блок | SOT-346-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs (max) | В±12V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.5V @ 1mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 11 ns |
| время спада | 11 ns |
| Ширина | 1.6 мм |
| width | 1.6mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26