Name: RJ1P12BBDTLL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 120 А, 0.0044 Ом, TO-263AB, Surface Mount
SKU: RJ1P12BBDTLL

МОП-транзистор 100V N-CH 120A POWER

Подробное описание

1 330 ₽

– +

Бонус: 26.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 330 ₽

Купить

МОП-транзистор 100V N-CH 120A POWER

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	120 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	178 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	80 nC
размер фабричной упаковки	1000
rds вкл - сопротивление сток-исток	5.8 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	37 ns
типичное время задержки выключения	125 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
вес, г	0.032
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	33 ns
время спада	54 ns

Отзывов нет

Кнопки