RHK003N06T146

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор N-CH 60V 300MA
Вес и габариты
base product numberRHK003 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c300mA (Ta)
длина2.9 mm
41
+
Бонус: 0.82 !
Бонусная программа
Итого: 41
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-CH 60V 300MA
Вес и габариты
base product numberRHK003 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c300mA (Ta)
длина2.9 mm
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)4V, 10V
другие названия товара №RHK003N06
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs6nC @ 10V
Высота 1.1 мм
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки300 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds33pF @ 10V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)200mW (Ta)
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs1Ohm @ 300mA, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток1.1 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияRHK003N06
supplier device packageSMT3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении6 ns
типичное время задержки выключения13 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
ТипMOSFET
упаковка / блокSOT-346-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 1mA
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5 ns
время спада5 ns
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль