RF4E080GNTR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RF4E080GN
id - непрерывный ток утечки8 A
категория продуктаМОП-транзистор
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RF4E080GN
id - непрерывный ток утечки8 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора5.8 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток17.6 mOhms
серияRF4E080GN
технологияSi
типичное время задержки при включении6.9 ns
типичное время задержки выключения17.3 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокDFN2020-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания3.6 ns
время спада2.4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль