Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

13 ₽

- +

Бонус: 0.26 !

Бонусная программа

Итого: 13 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
configuration	Single
factory pack quantity	3000
fall time	43 ns
id - continuous drain current	200 mA
manufacturer	ROHM Semiconductor
maximum operating temperature	+150 C
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	SMD/SMT
number of channels	1 Channel
package / case	SOT-416FL-3
packaging	Cut Tape or Reel
part # aliases	RE1J002YN
pd - power dissipation	150 mW
product category	MOSFET
product type	MOSFET
rds on - drain-source resistance	2.2 Ohms
rise time	8 ns
subcategory	MOSFETs
technology	Si
transistor polarity	N-Channel
transistor type	1 N-Channel MOSFET
typical turn-off delay time	17 ns
typical turn-on delay time	5 ns
vds - drain-source breakdown voltage	50 V
вес, г	0.07
vgs - gate-source voltage	4.5 V
vgs th - gate-source threshold voltage	300 mV

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

RE1J002YNTCL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 50 В, 200 мА, 1.6 Ом, SC-89, Surface Mount