RD3P200SNTL1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CH 20A POWER
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
660
+
Бонус: 13.2 !
Бонусная программа
Итого: 660
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CH 20A POWER
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности20 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора55 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток46 mOhms
серияRD3P
технологияSi
типичное время задержки при включении100 ns
типичное время задержки выключения150 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г3.698
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания35 ns
время спада100 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль