RD3P200SNFRATL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
fall time100 ns
forward transconductance - min15 S
id - continuous drain current20 A
manufacturerROHM Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseTO-252-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation20 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge55 nC
rds on - drain-source resistance46 mOhms
rise time35 ns
subcategoryMOSFETs
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time150 ns
typical turn-on delay time100 ns
vds - drain-source breakdown voltage100 V
vgs - gate-source voltage20 V
vgs th - gate-source threshold voltage1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль